时间：2025/5/26 20:04:13
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CE3168A420E是一款由知名半导体厂商生产的高压MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，在提供高效率的同时确保了低导通电阻和快速开关性能。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，具有出色的电气特性和可靠性，能够在高频条件下保持较低的功耗和较高的稳定性。其封装形式通常为TO-220或DPAK，能够满足各种应用对散热性能的需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.4Ω
栅极电荷：60nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
CE3168A420E具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达650V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗并支持高频操作。
4. 强大的过流保护能力和热稳定性，适合在严苛环境下运行。
5. 紧凑且高效的封装形式，便于集成到各类电子设备中。
该芯片主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级，用于实现高效的能量传输。
2. 电机驱动电路，作为功率级控制元件。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中的关键功率开关。
4. 各类工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
此外，它还可以用于家用电器、消费电子及汽车电子等领域的功率管理部分。
IRF840,
STP10NK60Z,
FQA14P65E
