HUF76129S 时间：2025/8/24 21:43:48 阅读：23

HUF76129S 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理和电源转换领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供高能效和低导通电阻的特点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高功率密度应用场景。HUF76129S采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于工业级温度范围。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：最大±20V
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

HUF76129S MOSFET采用了先进的沟槽式硅工艺技术，显著降低了导通电阻，提高了系统的能效。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效减少功率损耗和热生成。
　　该器件具备高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。其TO-252封装提供了优良的散热性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　此外，HUF76129S的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其宽泛的工作温度范围支持在各种恶劣环境中可靠运行，满足工业级标准。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的稳定性。其高可靠性和耐用性使其成为汽车电子、工业电源、服务器电源和能源管理系统等领域的理想选择。

应用

HUF76129S 主要用于需要高电流和低导通电阻的功率管理应用。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等应用场景。
　　此外，它也广泛应用于服务器和通信设备的电源管理模块，以提升能效和功率密度。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，HUF76129S也常用于高要求的工业控制系统，如PLC、工业逆变器和智能电表等。