时间：2025/6/4 1:54:11
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CDSOT23-T36 是一款基于 CMOS 工艺制造的低压 MOSFET 器件，采用 SOT-23 封装。该器件主要用作开关或放大用途，适用于低功耗和空间受限的应用场景。其小型化的封装形式和优异的电气性能使其在便携式设备、消费类电子产品中得到广泛应用。
CDSOT23-T36 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，可显著降低系统能耗。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.2A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
总功耗(Ptot)：470mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CDSOT23-T36 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，满足紧凑设计需求。
4. 高度可靠的电气性能，在极端温度条件下依然保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子设备中。
CDSOT23-T36 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品的负载开关和电池管理电路。
3. LED 驱动电路中的功率控制。
4. 信号电平转换和小型继电器驱动。
5. 各种手持设备中的保护电路，如过流保护和短路保护。
AO3400
IRLML6401
FDMQ8204
