时间：2025/6/6 15:30:41
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CDR34BX563BMZPAT 是一款由 ON Semiconductor 提供的功率 MOSFET 芯片，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各类工业控制应用。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性，从而实现更高的系统效率和更低的热损耗。
该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，使其非常适合高频开关应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：11nC
总电容（输入电容）：1500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
CDR34BX563BMZPAT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通状态下的功耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计，能够有效降低开关损耗。
3. 强大的漏极电流能力，确保在大电流负载条件下稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，适应恶劣环境下的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
6. 可靠性高，适合长时间连续工作的工业级应用。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效能量转换。
2. 电机驱动电路，支持从小型直流电机到大型伺服系统的控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理和功率调节模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
5. 各类电池充电器及保护电路，以实现快速充电并延长电池寿命。
CDR34BX563BMZPAN, CDR34BX563BMZPAK
