时间：2025/7/9 10:35:34
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IRF3704ZPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263-3 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。
其设计优化了静态和动态性能，能够在高频条件下提供高效的功率转换，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：48A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：105nC（典型值）
输入电容：1620pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-263-3
IRF3704ZPBF 具有出色的电气性能，包括低导通电阻、快速开关速度和高电流承受能力。这些特点使其非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
主要特性如下：
1. 极低的导通电阻降低了传导损耗，从而提高了整体效率。
2. 高额定漏极电流允许其在大功率系统中使用。
3. 快速开关能力减少了开关损耗，适合高频应用。
4. 表面贴装封装增强了散热性能并简化了制造流程。
5. 宽温度范围确保其在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
IRF3704ZPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 电机控制和驱动电路，特别是无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
3. 大电流负载开关，用于电池管理系统和工业设备。
4. UPS 和太阳能逆变器中的功率级开关。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 通信设备中的信号调节和功率放大组件。
IRF3704S, IRF3704
