时间：2025/6/11 13:28:19
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CDR34BX273BKZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高效率电力转换场景。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换能力。
这款器件采用了先进的半导体制造工艺，能够有效降低功率损耗并提高系统可靠性。其封装形式专为散热优化设计，可确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Ta)：-55°C to 150°C
封装形式：TO-247
CDR34BX273BKZPAT 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积，进一步提高功率密度。
3. 内置栅极保护电路，防止过压或误操作导致的损坏。
4. 优秀的热稳定性，确保长时间高负载运行时的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
4. 工业自动化设备中的高效功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统组件。
6. 各种需要大电流、高效率和快速开关的应用场景。
CDR34BX272BKZPAT, IRF2807ZPBF, STP50NF06L
