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CDR34BX124AMZRAT 发布时间 时间:2025/5/13 18:22:12 查看 阅读:5

CDR34BX124AMZRAT 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率MOSFET芯片,属于碳化硅(SiC)材料制造的器件。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,特别适合用于高效率、高频工作的电源转换和电机驱动应用。碳化硅材料的使用使其能够在高温环境下稳定工作,并提供卓越的耐用性和可靠性。
  这款MOSFET主要面向工业设备、汽车电子以及可再生能源领域,例如太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器等。

参数

型号:CDR34BX124AMZRAT
  类型:N-Channel MOSFET
  材料:SiC(碳化硅)
  漏源电压(Vdss):1200V
  连续漏电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):34mΩ
  栅极电荷(Qg):95nC
  总功耗(Ptot):18W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

CDR34BX124AMZRAT 采用碳化硅技术,因此具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以大幅减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度和低栅极电荷 (Qg),有助于降低开关损耗,尤其在高频条件下表现优异。
  3. 高耐压能力 (1200V),使其能够胜任高压环境下的应用。
  4. 工作温度范围广 (-55℃至+175℃),适应各种恶劣条件,包括高温场景。
  5. 具备出色的热稳定性和耐用性,延长使用寿命。
  6. 小型化的封装设计可以节省电路板空间,同时满足高性能需求。

应用

CDR34BX124AMZRAT 的主要应用领域包括:
  1. 高效DC-DC转换器,如服务器电源、通信基站电源等。
  2. 太阳能光伏逆变器,帮助提升能量转换效率。
  3. 电动车动力系统中的牵引逆变器,支持高效电机控制。
  4. 工业电机驱动和变速驱动系统。
  5. 高频软开关拓扑结构,如LLC谐振变换器或PFC电路。
  6. 其他需要高效率、高功率密度和高温性能的场合。

替代型号

CDR34DX120AMZRAT, CDR34BX120AMZRAT

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CDR34BX124AMZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"(1.50mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-