CDR34BX124AMZRAT 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率MOSFET芯片,属于碳化硅(SiC)材料制造的器件。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,特别适合用于高效率、高频工作的电源转换和电机驱动应用。碳化硅材料的使用使其能够在高温环境下稳定工作,并提供卓越的耐用性和可靠性。
这款MOSFET主要面向工业设备、汽车电子以及可再生能源领域,例如太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器等。
型号:CDR34BX124AMZRAT
类型:N-Channel MOSFET
材料:SiC(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
连续漏电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):34mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
总功耗(Ptot):18W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
CDR34BX124AMZRAT 采用碳化硅技术,因此具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以大幅减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷 (Qg),有助于降低开关损耗,尤其在高频条件下表现优异。
3. 高耐压能力 (1200V),使其能够胜任高压环境下的应用。
4. 工作温度范围广 (-55℃至+175℃),适应各种恶劣条件,包括高温场景。
5. 具备出色的热稳定性和耐用性,延长使用寿命。
6. 小型化的封装设计可以节省电路板空间,同时满足高性能需求。
CDR34BX124AMZRAT 的主要应用领域包括:
1. 高效DC-DC转换器,如服务器电源、通信基站电源等。
2. 太阳能光伏逆变器,帮助提升能量转换效率。
3. 电动车动力系统中的牵引逆变器,支持高效电机控制。
4. 工业电机驱动和变速驱动系统。
5. 高频软开关拓扑结构,如LLC谐振变换器或PFC电路。
6. 其他需要高效率、高功率密度和高温性能的场合。
CDR34DX120AMZRAT, CDR34BX120AMZRAT