CDR34BP272BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能。该芯片通常用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用中。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力。
该器件具有出色的热性能,封装设计能够有效降低热阻,从而提高散热效率。此外,CDR34BP272BFZPAT还支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,确保在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总栅极电荷(Qg):85nC
输入电容(Ciss):3500pF
输出电容(Coss):1200pF
反向传输电容(Crss):120pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
CDR34BP272BFZPAT具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力,允许在大电流条件下可靠运行。
4. 先进的封装技术,优化了热管理和电磁兼容性表现。
5. 内置多种保护机制,增强了产品的耐用性和安全性。
6. 广泛的工作温度范围,适应各种严苛环境下的使用需求。
这款功率MOSFET广泛应用于工业和消费电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器和其他电机驱动系统的功率级元件。
3. 汽车电子中的负载切换和逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 大功率LED照明驱动电路。
通过其高效能表现,CDR34BP272BFZPAT成为众多高要求应用的理想选择。
CDR34BP272BFPZPAT, CDR34BP272BFZPBT