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CDR34BP272BFZPAT 发布时间 时间:2025/5/26 11:25:25 查看 阅读:13

CDR34BP272BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能。该芯片通常用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用中。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力。
  该器件具有出色的热性能,封装设计能够有效降低热阻,从而提高散热效率。此外,CDR34BP272BFZPAT还支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,确保在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):85nC
  输入电容(Ciss):3500pF
  输出电容(Coss):1200pF
  反向传输电容(Crss):120pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

CDR34BP272BFZPAT具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 强大的电流承载能力,允许在大电流条件下可靠运行。
  4. 先进的封装技术,优化了热管理和电磁兼容性表现。
  5. 内置多种保护机制,增强了产品的耐用性和安全性。
  6. 广泛的工作温度范围,适应各种严苛环境下的使用需求。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于工业和消费电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器中的主开关管。
  2. 电动工具、家用电器和其他电机驱动系统的功率级元件。
  3. 汽车电子中的负载切换和逆变器模块。
  4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  5. 大功率LED照明驱动电路。
  通过其高效能表现,CDR34BP272BFZPAT成为众多高要求应用的理想选择。

替代型号

CDR34BP272BFPZPAT, CDR34BP272BFZPBT

CDR34BP272BFZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"(1.50mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-