时间：2025/5/26 11:25:25
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CDR34BP272BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能。该芯片通常用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用中。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力。
该器件具有出色的热性能，封装设计能够有效降低热阻，从而提高散热效率。此外，CDR34BP272BFZPAT还支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，确保在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：3500pF
输出电容(Coss)：1200pF
反向传输电容(Crss)：120pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CDR34BP272BFZPAT具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力，允许在大电流条件下可靠运行。
4. 先进的封装技术，优化了热管理和电磁兼容性表现。
5. 内置多种保护机制，增强了产品的耐用性和安全性。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用需求。
这款功率MOSFET广泛应用于工业和消费电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器和其他电机驱动系统的功率级元件。
3. 汽车电子中的负载切换和逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 大功率LED照明驱动电路。
通过其高效能表现，CDR34BP272BFZPAT成为众多高要求应用的理想选择。
CDR34BP272BFPZPAT, CDR34BP272BFZPBT
