时间：2025/6/10 17:38:38
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CDR34BP222BJMS是一款高性能的MOSFET功率晶体管，专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
这款MOSFET属于N沟道增强型，能够承受较高的漏源电压，并具备出色的热性能和电气性能，使其成为各种工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：CDR34BP222BJMS
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：180W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
5. 良好的热稳定性和抗静电能力，适合恶劣工作环境。
6. 封装形式便于散热处理，简化了PCB布局设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护及充放电管理系统。
5. 工业逆变器和变频器的应用。
6. 各种负载切换和功率分配场景。
IRF3710, FDP5500, CSD19536KCS
