CDR33BX683AMZMAT 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器(MLCC),属于 X7R 介质类型。该元件具有高稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。其设计适合高频应用场合,广泛用于电源滤波、信号耦合、去耦以及储能等电路中。
这款电容器采用了先进的制造工艺,具备低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)特性,从而优化了高频性能。此外,它的端子使用了镀锡处理,能够提供良好的焊接性能和抗腐蚀能力。
型号:CDR33BX683AMZMAT
标称电容值:0.068μF
电压额定值:50V
介质材料:X7R
尺寸:0805英寸 (2.0mm x 1.25mm)
公差:±10%
工作温度范围:-55°C>封装类型:表面贴装 (SMD)
阻抗特性:低ESR/ESL
1. 高稳定性:在温度变化时,电容量的变化较小,适用于对电容稳定性要求较高的应用。
2. 高频性能优异:由于采用了低ESR和ESL设计,使得该电容器在高频条件下表现出极佳的性能。
3. 可靠性高:通过严格的筛选和测试流程,确保产品长期运行的可靠性。
4. 宽温特性:能够在 -55°C 到 +125°C 的温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境。
5. 焊接性能良好:端子采用镀锡处理,提高焊接可靠性和抗氧化能力。
1. 滤波电路:在电源系统中,用于平滑电压波动和滤除高频噪声。
2. 去耦作用:为数字电路中的芯片供电提供稳定的电流,并减少电源纹波。
3. 耦合电路:在模拟和射频电路中,用作信号耦合以传递交流信号。
4. 能量存储:在需要短时间大电流放电的应用中,例如脉冲电路,作为能量储存单元。
5. 射频电路:因其高频特性,适合于无线通信设备中的滤波和匹配网络。
KEMET C0805X7R1H683K, TDK C3216X7R1H683K, AVX 08055C683KAT2A