时间：2025/6/28 19:05:01
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CDR33BX563AMZMAT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
该芯片通常用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
型号：CDR33BX563AMZMAT
类型：MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ
ID（持续漏极电流）：90A
栅极电荷：45nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CDR33BX563AMZMAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高开关频率支持，适用于高频开关应用。
3. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 内部采用了优化的栅极驱动设计，可以有效降低开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且兼容现代绿色设计理念。
6. 强大的过流保护能力，提高了系统的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或开关管。
3. 工业电机驱动及逆变器。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统。
5. 大功率 LED 驱动器。
6. 通信设备中的功率调节模块。
其强大的电流处理能力和高效的能量转换特性使其成为许多高功率应用场景的理想选择。
CDR33BX563AMZMATN, CDR33BX563AMZMA
