您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RFUS20TM4S

RFUS20TM4S 发布时间 时间:2025/5/28 13:50:54 查看 阅读:13

RFUS20TM4S 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率电源转换应用。该器件采用先进的封装工艺和优化的电路设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
  其内部集成了 GaN 场效应晶体管(FET)和驱动器,能够在高频工作条件下实现更高的能效和更小的系统尺寸。RFUS20TM4S 广泛应用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC(功率因数校正)、无线充电器以及其他需要高性能功率转换的场景。

参数

额定电压:600V
  额定电流:20A
  导通电阻:4Ω
  最大开关频率:5MHz
  封装类型:QFN-8x8
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. RFUS20TM4S 基于氮化镓材料,具有卓越的高频性能,适合高频开关应用。
  2. 内部集成驱动器减少了外围元件数量,从而降低了整体系统复杂度。
  3. 具备低 RDS(on) 特性,显著降低了导通损耗,提升了功率转换效率。
  4. 快速开关速度能够有效降低开关损耗,并支持高达 5MHz 的开关频率。
  5. 封装采用 QFN-8x8,具备良好的散热性能,适合紧凑型设计需求。
  6. 在高温环境下仍可稳定运行,适用于工业级及消费类电子设备。

应用

1. 高频 DC-DC 转换器
  2. 图腾柱功率因数校正(PFC)电路
  3. 开关电源(SMPS)
  4. 无线充电发射端
  5. 电机驱动及逆变器
  6. 工业级电源模块
  7. USB-PD 快充适配器

替代型号

RFUS16TM6S
  RFUS25TM3S
  GAN042-650WSA

RFUS20TM4S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RFUS20TM4S资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RFUS20TM4S参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)430V
  • 电流 - 平均整流 (Io)20A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.6V @ 20A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 430V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220NFM
  • 包装管件