RFUS20TM4S 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率电源转换应用。该器件采用先进的封装工艺和优化的电路设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
其内部集成了 GaN 场效应晶体管(FET)和驱动器,能够在高频工作条件下实现更高的能效和更小的系统尺寸。RFUS20TM4S 广泛应用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC(功率因数校正)、无线充电器以及其他需要高性能功率转换的场景。
额定电压:600V
额定电流:20A
导通电阻:4Ω
最大开关频率:5MHz
封装类型:QFN-8x8
结温范围:-55℃至+150℃
1. RFUS20TM4S 基于氮化镓材料,具有卓越的高频性能,适合高频开关应用。
2. 内部集成驱动器减少了外围元件数量,从而降低了整体系统复杂度。
3. 具备低 RDS(on) 特性,显著降低了导通损耗,提升了功率转换效率。
4. 快速开关速度能够有效降低开关损耗,并支持高达 5MHz 的开关频率。
5. 封装采用 QFN-8x8,具备良好的散热性能,适合紧凑型设计需求。
6. 在高温环境下仍可稳定运行,适用于工业级及消费类电子设备。
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 图腾柱功率因数校正(PFC)电路
3. 开关电源(SMPS)
4. 无线充电发射端
5. 电机驱动及逆变器
6. 工业级电源模块
7. USB-PD 快充适配器
RFUS16TM6S
RFUS25TM3S
GAN042-650WSA