时间：2025/5/28 13:50:54
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RFUS20TM4S 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，适用于高频、高效率电源转换应用。该器件采用先进的封装工艺和优化的电路设计，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
其内部集成了 GaN 场效应晶体管（FET）和驱动器，能够在高频工作条件下实现更高的能效和更小的系统尺寸。RFUS20TM4S 广泛应用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）、无线充电器以及其他需要高性能功率转换的场景。
额定电压：600V
额定电流：20A
导通电阻：4Ω
最大开关频率：5MHz
封装类型：QFN-8x8
结温范围：-55℃至+150℃
1. RFUS20TM4S 基于氮化镓材料，具有卓越的高频性能，适合高频开关应用。
2. 内部集成驱动器减少了外围元件数量，从而降低了整体系统复杂度。
3. 具备低 RDS(on) 特性，显著降低了导通损耗，提升了功率转换效率。
4. 快速开关速度能够有效降低开关损耗，并支持高达 5MHz 的开关频率。
5. 封装采用 QFN-8x8，具备良好的散热性能，适合紧凑型设计需求。
6. 在高温环境下仍可稳定运行，适用于工业级及消费类电子设备。
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 图腾柱功率因数校正（PFC）电路
3. 开关电源（SMPS）
4. 无线充电发射端
5. 电机驱动及逆变器
6. 工业级电源模块
7. USB-PD 快充适配器
RFUS16TM6S
RFUS25TM3S
GAN042-650WSA
