时间：2025/6/17 7:56:58
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CDR33BP302AKZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于各种需要高效能量转换的应用场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1560pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
CDR33BP302AKZRAT具有非常低的导通电阻（仅1.4mΩ），这使其非常适合于大电流应用场合。同时，其高耐压能力（30V）确保了在不同负载条件下的稳定运行。
此外，该器件的栅极电荷较低（29nC），有助于减少开关损耗并提高系统效率。其宽广的工作温度范围（-55℃至175℃）也保证了其在极端环境下的可靠性能。
CDR33BP302AKZRAT还采用了TO-263封装，这种封装形式不仅散热性能良好，而且易于安装和集成到各种电路板中。
该芯片广泛应用于工业控制领域，如直流无刷电机驱动、伺服电机控制、机器人动力系统等。
此外，在消费电子领域，它常被用于笔记本电脑适配器、平板充电器以及其他便携式设备的电源管理模块中。
CDR33BP302AKZRAT也可用作太阳能逆变器中的功率开关元件，帮助实现高效的能量转换。
CDR33BP302AKZRA, CDR33BP302AKZRB, CDR33BP302AKZRC
