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CDR33BP302AFZPAT 发布时间 时间:2025/6/23 13:45:02 查看 阅读:20

CDR33BP302AFZPAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件专为高频开关和高效率应用场景设计,能够承受较高的电压并提供低导通电阻,从而减少功率损耗。
  其封装形式为 TO-247-4L,支持表面贴装技术 (SMT),适合工业电源、太阳能逆变器以及电动车辆驱动等应用领域。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:160mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247-4L

特性

CDR33BP302AFZPAT 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力(1200V),适合高压电路环境。
  2. 极低的导通电阻(160mΩ),有助于降低传导损耗。
  3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
  4. 内置反向恢复二极管,优化续流性能。
  5. 良好的热稳定性,在高温条件下表现优异。
  6. 碳化硅材料的应用使其具备更高的效率与更小的尺寸需求。
  这些特点使 CDR33BP302AFZPAT 成为高性能功率转换的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机驱动系统。
  2. 太阳能光伏逆变器。
  3. 不间断电源 (UPS) 和其他高效电源解决方案。
  4. 电动汽车牵引逆变器。
  5. 开关模式电源 (SMPS)。
  6. 高频 DC-DC 转换器。
  由于其高效率和高可靠性,CDR33BP302AFZPAT 在新能源和汽车电子市场中备受青睐。

替代型号

CDR33BP302AFZPAJ, C3M0016120D, SCT30N120

CDR33BP302AFZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3000 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-