CDR33BP302AFZPAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件专为高频开关和高效率应用场景设计,能够承受较高的电压并提供低导通电阻,从而减少功率损耗。
其封装形式为 TO-247-4L,支持表面贴装技术 (SMT),适合工业电源、太阳能逆变器以及电动车辆驱动等应用领域。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:16A
导通电阻:160mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-247-4L
CDR33BP302AFZPAT 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力(1200V),适合高压电路环境。
2. 极低的导通电阻(160mΩ),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管,优化续流性能。
5. 良好的热稳定性,在高温条件下表现优异。
6. 碳化硅材料的应用使其具备更高的效率与更小的尺寸需求。
这些特点使 CDR33BP302AFZPAT 成为高性能功率转换的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动系统。
2. 太阳能光伏逆变器。
3. 不间断电源 (UPS) 和其他高效电源解决方案。
4. 电动汽车牵引逆变器。
5. 开关模式电源 (SMPS)。
6. 高频 DC-DC 转换器。
由于其高效率和高可靠性,CDR33BP302AFZPAT 在新能源和汽车电子市场中备受青睐。
CDR33BP302AFZPAJ, C3M0016120D, SCT30N120