时间：2025/6/23 13:45:02
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CDR33BP302AFZPAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件专为高频开关和高效率应用场景设计，能够承受较高的电压并提供低导通电阻，从而减少功率损耗。
其封装形式为 TO-247-4L，支持表面贴装技术 (SMT)，适合工业电源、太阳能逆变器以及电动车辆驱动等应用领域。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：16A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-4L
CDR33BP302AFZPAT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力（1200V），适合高压电路环境。
2. 极低的导通电阻（160mΩ），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管，优化续流性能。
5. 良好的热稳定性，在高温条件下表现优异。
6. 碳化硅材料的应用使其具备更高的效率与更小的尺寸需求。
这些特点使 CDR33BP302AFZPAT 成为高性能功率转换的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动系统。
2. 太阳能光伏逆变器。
3. 不间断电源 (UPS) 和其他高效电源解决方案。
4. 电动汽车牵引逆变器。
5. 开关模式电源 (SMPS)。
6. 高频 DC-DC 转换器。
由于其高效率和高可靠性，CDR33BP302AFZPAT 在新能源和汽车电子市场中备受青睐。
CDR33BP302AFZPAJ, C3M0016120D, SCT30N120
