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CDR33BP222BJZRAT 发布时间 时间:2025/5/23 15:13:08 查看 阅读:15

CDR33BP222BJZRAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用N沟道增强型设计。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。其封装形式为TO-263(D2PAK),具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够有效提升系统的效率并降低功耗。
  这款功率MOSFET在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,适用于工业级和消费级电子设备。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:57nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流,可支持大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,适合高频应用环境。
  4. 强大的雪崩能量能力,提高器件的可靠性。
  5. 封装散热性能优越,确保长期稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际规范要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或降压/升压开关。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
  5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  6. 大功率LED驱动器中的关键开关元件。

替代型号

IRF3205, CSD18534Q5A, AO3400A

CDR33BP222BJZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-