CDR33BP132BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的开关特性和热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),有助于提高生产效率并降低整体系统成本。
型号:CDR33BP132BFZRAT
类型:N沟道功率MOSFET
VDS(漏源电压):100V
RDS(on)(导通电阻):0.13Ω
ID(连续漏极电流):32A
Qg(栅极电荷):18nC
fT(截止频率):2.7MHz
封装:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55℃至150℃
CDR33BP132BFZRAT具有以下显著特性:
1. 高效的导通性能,低导通电阻(RDS(on)),在大电流条件下能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷(Qg)和较高的截止频率(fT),适用于高频应用环境。
3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
4. 小型化封装设计,适合现代电子产品对紧凑空间的需求。
5. 提供强大的过流保护功能,增强系统的可靠性。
该芯片主要应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心组件,用于电压调节。
3. 电机驱动电路中作为功率级开关。
4. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
5. 充电器、适配器等便携式电子设备中的关键功率器件。
CDR33BP132BFZRA, IRFZ44N, FDP5570N