时间：2025/6/6 18:10:14
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CDR33BP132BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的开关特性和热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)，有助于提高生产效率并降低整体系统成本。
型号：CDR33BP132BFZRAT
类型：N沟道功率MOSFET
VDS(漏源电压)：100V
RDS(on)(导通电阻)：0.13Ω
ID(连续漏极电流)：32A
Qg(栅极电荷)：18nC
fT(截止频率)：2.7MHz
封装：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃至150℃
CDR33BP132BFZRAT具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能，低导通电阻(RDS(on))，在大电流条件下能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷(Qg)和较高的截止频率(fT)，适用于高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
4. 小型化封装设计，适合现代电子产品对紧凑空间的需求。
5. 提供强大的过流保护功能，增强系统的可靠性。
该芯片主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心组件，用于电压调节。
3. 电机驱动电路中作为功率级开关。
4. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
5. 充电器、适配器等便携式电子设备中的关键功率器件。
CDR33BP132BFZRA, IRFZ44N, FDP5570N
