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CDR33BP132BFZRAT 发布时间 时间:2025/6/6 18:10:14 查看 阅读:5

CDR33BP132BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的开关特性和热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),有助于提高生产效率并降低整体系统成本。

参数

型号:CDR33BP132BFZRAT
  类型:N沟道功率MOSFET
  VDS(漏源电压):100V
  RDS(on)(导通电阻):0.13Ω
  ID(连续漏极电流):32A
  Qg(栅极电荷):18nC
  fT(截止频率):2.7MHz
  封装:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

CDR33BP132BFZRAT具有以下显著特性:
  1. 高效的导通性能,低导通电阻(RDS(on)),在大电流条件下能够有效减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷(Qg)和较高的截止频率(fT),适用于高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
  4. 小型化封装设计,适合现代电子产品对紧凑空间的需求。
  5. 提供强大的过流保护功能,增强系统的可靠性。

应用

该芯片主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心组件,用于电压调节。
  3. 电机驱动电路中作为功率级开关。
  4. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
  5. 充电器、适配器等便携式电子设备中的关键功率器件。

替代型号

CDR33BP132BFZRA, IRFZ44N, FDP5570N

CDR33BP132BFZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1300 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-