NXV100XPR 时间：2025/9/13 21:48:49 阅读：36

NXV100XPR 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。它被设计用于高频率和高增益应用，适合在放大器和开关电路中使用。这款晶体管采用了先进的技术，确保了其在高频操作下的稳定性和可靠性。NXV100XPR 通常用于射频（RF）和中频（IF）电路中，是通信设备和消费电子产品中常用的元器件之一。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：在Ic=2mA时为110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT23

特性

NXV100XPR 晶体管具备多项优异特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它的过渡频率（fT）高达100MHz，这使得它非常适合用于射频和中频放大器的设计。其次，该晶体管的增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，可以在110到800之间变化，从而满足不同电路对增益的需求。此外，NXV100XPR 的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30V，这为它在中等功率应用中的使用提供了保障。其SOT23封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装，提高了生产效率。
　　该晶体管的热阻较低，确保了其在高功率操作下的可靠性，并且能够在最大工作温度150°C下稳定运行。NXV100XPR 的最大功耗为300mW，这使得它在功耗敏感的应用中也具有良好的表现。由于其高频特性，NXV100XPR 常被用于射频信号放大、混频器、振荡器等电路中，同时也适用于音频放大器和开关电路的设计。

应用

NXV100XPR 晶体管广泛应用于需要高频性能的电子设备中。其主要应用包括射频（RF）放大器、中频（IF）放大器、振荡器和混频器等通信相关电路。此外，由于其良好的增益特性和中等功率处理能力，NXV100XPR 也常用于消费电子产品中的音频放大器设计，以及各种开关电路和逻辑电路中。该晶体管还适用于传感器接口电路、工业控制设备和便携式电子设备中的信号处理模块。由于其SOT23封装形式的小巧设计，NXV100XPR 特别适合空间受限的高密度电路板设计，广泛用于现代电子设备中。