时间：2025/5/23 16:24:04
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CDR33BP122BKZMAT是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率器件，主要应用于高电压、高效率的电力电子系统。该器件采用了先进的沟槽栅结构设计，具备较低的导通电阻和开关损耗，适合在高频开关条件下使用。其封装形式为TO-247-4L，能够提供良好的散热性能和电气连接稳定性。
该器件适用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及其他需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：56A
导通电阻：33mΩ
栅极电荷：230nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
CDR33BP122BKZMAT具有出色的热稳定性和电气性能。它采用碳化硅材料，使得器件能够在更高的结温和开关频率下运行，同时保持较低的能量损耗。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，而优化的栅极驱动设计则降低了开关损耗。
此外，这款MOSFET还具备快速的开关速度和抗雪崩能力，确保在异常工作条件下的可靠性。结合其四引脚TO-247封装，可有效降低寄生电感的影响，从而提升整体系统的性能。
该器件的设计考虑了电磁兼容性和安全性要求，适用于对能效和可靠性有严格需求的高端应用环境。
CDR33BP122BKZMAT广泛用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括但不限于以下领域：
1. 工业电源模块
2. 光伏逆变器
3. 不间断电源（UPS）
4. 电动汽车车载充电器
5. DC-DC转换器
6. 风力发电变流器
7. 电机驱动控制
由于其卓越的性能表现，该器件特别适合需要频繁切换、高负载电流以及高温环境下运行的应用场合。
CDR33BP122BZMAT, C2M0080120D, SCT3050KE
