时间：2025/9/15 1:32:20
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PSMN3R3-80PS 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能功率开关器件。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源管理系统。PSMN3R3-80PS 采用高性能封装技术，适用于各种高功率密度应用，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：80V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：180A
导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：PowerSO-10
PSMN3R3-80PS 具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为3.3mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，PSMN3R3-80PS 支持高达180A的连续漏极电流，适用于高电流负载应用。其最大漏源电压为80V，适用于中高压电源系统，如48V汽车系统、工业电源和服务器电源等。
其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术（Trench Technology），在保持低导通电阻的同时，提高了开关性能，减少了开关损耗。其栅极氧化层设计优化，支持±20V的栅源电压，提高了器件的稳定性和可靠性。
PSMN3R3-80PS 广泛应用于各种高功率和高效率需求的电子系统中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在48V轻混电动车（MHEV）系统中，PSMN3R3-80PS 常用于电源转换和能量管理模块，以提高能效和系统可靠性。此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备和储能系统中的高电流开关应用。
由于其优异的导通特性和高电流承载能力，PSMN3R3-80PS 在同步整流拓扑中表现出色，能够显著提高电源转换效率。同时，其高栅极电压耐受能力和稳定的开关特性，使其在高频开关应用中也能保持良好的性能。
IPB080N04NG, FDP180N80F2, STP180N8F7AG
