时间：2025/6/6 11:52:56
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CDR33BP112BFZMAT是一种基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率和高性能应用而设计，具有出色的开关特性和低导通电阻。它通常应用于高频电源转换、电机驱动以及可再生能源系统等领域。
该器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越的散热性能，并且支持更高的工作温度范围，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
型号：CDR33BP112BFZMAT
类型：SiC MOSFET
最大漏源电压：1200V
持续漏极电流：33A
导通电阻：8mΩ（典型值，在25°C时）
栅极电荷：100nC（典型值）
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK (TO-263)
CDR33BP112BFZMAT具有以下主要特性：
1. 高击穿电压能力，使其适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，减少了导通损耗并提高了整体效率。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗并支持高频操作。
4. 良好的热性能，确保在高温条件下稳定运行。
5. 碳化硅材料的使用提升了器件的耐用性和可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
CDR33BP112BFZMAT广泛应用于以下领域：
1. 高频DC-DC转换器，用于服务器电源或通信设备。
2. 太阳能逆变器，实现高效能量转换。
3. 电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的牵引逆变器。
4. 工业电机驱动器，提供精确控制和节能效果。
5. 不间断电源（UPS）系统，确保电力供应稳定性。
6. 充电桩设计，以支持快速充电功能。
CDR33BP112BFZMATN
CDR33AP112BFZMAT
CDR25BP112BFZMAT
