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CDR33BP112BFZMAT 发布时间 时间:2025/6/6 11:52:56 查看 阅读:24

CDR33BP112BFZMAT是一种基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率和高性能应用而设计,具有出色的开关特性和低导通电阻。它通常应用于高频电源转换、电机驱动以及可再生能源系统等领域。
  该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的散热性能,并且支持更高的工作温度范围,从而提高了系统的可靠性和稳定性。

参数

型号:CDR33BP112BFZMAT
  类型:SiC MOSFET
  最大漏源电压:1200V
  持续漏极电流:33A
  导通电阻:8mΩ(典型值,在25°C时)
  栅极电荷:100nC(典型值)
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:D2PAK (TO-263)

特性

CDR33BP112BFZMAT具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压能力,使其适用于高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻,减少了导通损耗并提高了整体效率。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗并支持高频操作。
  4. 良好的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 碳化硅材料的使用提升了器件的耐用性和可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。

应用

CDR33BP112BFZMAT广泛应用于以下领域:
  1. 高频DC-DC转换器,用于服务器电源或通信设备。
  2. 太阳能逆变器,实现高效能量转换。
  3. 电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的牵引逆变器。
  4. 工业电机驱动器,提供精确控制和节能效果。
  5. 不间断电源(UPS)系统,确保电力供应稳定性。
  6. 充电桩设计,以支持快速充电功能。

替代型号

CDR33BP112BFZMATN
  CDR33AP112BFZMAT
  CDR25BP112BFZMAT

CDR33BP112BFZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1100 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-