CDR33BP112BFZMAT是一种基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率和高性能应用而设计,具有出色的开关特性和低导通电阻。它通常应用于高频电源转换、电机驱动以及可再生能源系统等领域。
该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的散热性能,并且支持更高的工作温度范围,从而提高了系统的可靠性和稳定性。
型号:CDR33BP112BFZMAT
类型:SiC MOSFET
最大漏源电压:1200V
持续漏极电流:33A
导通电阻:8mΩ(典型值,在25°C时)
栅极电荷:100nC(典型值)
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:D2PAK (TO-263)
CDR33BP112BFZMAT具有以下主要特性:
1. 高击穿电压能力,使其适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻,减少了导通损耗并提高了整体效率。
3. 快速开关速度,降低了开关损耗并支持高频操作。
4. 良好的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
5. 碳化硅材料的使用提升了器件的耐用性和可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
CDR33BP112BFZMAT广泛应用于以下领域:
1. 高频DC-DC转换器,用于服务器电源或通信设备。
2. 太阳能逆变器,实现高效能量转换。
3. 电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的牵引逆变器。
4. 工业电机驱动器,提供精确控制和节能效果。
5. 不间断电源(UPS)系统,确保电力供应稳定性。
6. 充电桩设计,以支持快速充电功能。
CDR33BP112BFZMATN
CDR33AP112BFZMAT
CDR25BP112BFZMAT