时间：2025/6/6 18:09:03
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CDR31BX821BKZSAT 是一款由知名半导体制造商生产的高压 MOSFET 芯片，主要应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的开关特性和低导通电阻特性，适用于高效率电源管理解决方案。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的耐压能力以及快速的开关速度，可有效降低系统能耗并提高整体性能。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
最大漏源电压 Vds：800V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大持续漏极电流 Id：5.6A
导通电阻 Rds(on)：0.7Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：19W
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AC
CDR31BX821BKZSAT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压，支持高达 800V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关特性，可以显著降低开关损耗。
4. 内置静电保护功能，提高了产品的可靠性和抗干扰能力。
5. 优化的热设计，确保在高功率运行条件下的稳定表现。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. 支持表面贴装和通孔安装两种方式，便于不同应用场景的需求。
CDR31BX821BKZSAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器和变频器电路。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 充电器和电池管理系统 (BMS)。
5. LED 照明驱动器。
6. 高压负载切换控制。
其高耐压能力和低导通电阻使其成为需要高效功率处理的应用的理想选择。
CDR31BX821BKZSATL, IRF840, STP80NF06
