MD27C512-25/B 时间：2025/6/30 21:14:50 阅读：19

MD27C512-25/B 是一种静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用 CMOS 工艺制造。该器件具有高速、低功耗的特点，适用于需要高可靠性和快速数据访问的场景。其存储容量为 512K x 8 位，工作电压范围为 4.5V 至 5.5V，支持同步和异步操作模式。
　　MD27C512-25/B 的封装形式通常为 40 引脚 PDIP 或 PLCC 封装，能够满足工业级和商业级应用需求。

参数

存储容量：512K x 8 位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：25ns
　　封装形式：40 引脚 PDIP / PLCC
　　工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　引脚数：40
　　接口类型：并行

特性

MD27C512-25/B 提供了高性能的 SRAM 解决方案，具有以下特点：
　　1. 高速访问时间：25 纳秒，确保系统具备快速响应能力。
　　2. 静态存储器架构：无需刷新操作，数据保持稳定。
　　3. 低功耗设计：在待机模式下功耗极低，适合对能耗敏感的应用。
　　4. 宽工作电压范围：支持 4.5V 至 5.5V 的供电电压，兼容多种电源环境。
　　5. 可靠性高：经过严格测试，适用于恶劣环境下的长时间运行。
　　6. 支持同步和异步操作：可根据系统需求灵活配置。

应用

MD27C512-25/B 广泛应用于需要大容量和快速数据访问的场合，例如：
　　1. 工业控制设备中的临时数据存储。
　　2. 医疗设备中用于缓存关键信息。
　　3. 通信设备中的数据缓冲区。
　　4. 图形处理单元（GPU）中的帧缓冲存储。
　　5. 嵌入式系统的高速缓存模块。
　　6. 测试与测量仪器中的数据记录功能。