时间：2025/6/28 18:59:39
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CDR31BX821BKWSAT 是一款基于硅基技术的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：CDR31BX821BKWSAT
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：90A
fT（截止频率）：2.7MHz
Qg（栅极电荷）：35nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
CDR31BX821BKWSAT 具有出色的性能表现，其低导通电阻设计能够显著减少传导损耗，同时具备高电流承载能力，适用于大功率应用环境。
此外，该器件还拥有较高的开关速度，从而减少了开关损耗，并在高频工作条件下表现出色。
它的工作温度范围较宽，适应极端环境的能力较强，非常适合工业和汽车级应用。
由于采用了优化的封装形式，散热性能也得到了极大改善，进一步提升了长期工作的可靠性。
CDR31BX821BKWSAT 广泛应用于需要高效功率管理的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 高频开关电源
2. 各类DC-DC转换器
3. 汽车电子中的负载切换
4. 电机驱动与控制
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块
6. 通信设备中的功率调节单元
CDR31BX821BKWSATL, IRF840, STP90NF06
