时间：2025/6/28 12:30:26
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CDR31BX562AMZPAT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高频率开关应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
该器件适用于多种功率转换场景，例如 DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等。其封装形式能够有效提升散热能力，同时保证电气性能的稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：48A
导通电阻：31mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CDR31BX562AMZPAT 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗，从而提高系统效率。
它的快速开关特性使得该器件非常适合高频应用，能够降低开关损耗并改善整体性能。
此外，这款 MOSFET 具备出色的雪崩能力和耐用性，在异常条件下也能保持可靠运行。
其采用的封装设计优化了 PCB 布局，并且增强了散热效果，使设备在高功率密度环境下依然表现优异。
综合来看，CDR31BX562AMZPAT 是一种兼顾高效能与稳定性的功率开关解决方案。
CDR31BX562AMZPAT 广泛应用于工业和消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的无刷直流电机驱动
3. 太阳能微逆变器
4. 电动车充电桩
5. LED 照明驱动电路
6. 工业自动化控制设备中的功率管理模块
凭借其卓越的电气特性和可靠性，这款器件成为了许多高要求应用场景的理想选择。
CDR31BX560AMZPAT, IRFP260N, STP55NF06L
