PA1138NLT 时间：2025/12/27 15:44:56 阅读：11

PA1138NLT是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率、低功耗的电子系统中。该器件采用紧凑型表面贴装封装（SOP-8L），适合对空间要求较高的便携式设备和高密度电路板设计。PA1138NLT在设计上优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，使其能够在高频开关应用中实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体能效。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电子产品及通信设备中的功率管理模块。其栅极阈值电压适中，易于通过标准逻辑电平驱动，降低了驱动电路的设计复杂度。PA1138NLT还内置了快速体二极管，有助于在感性负载切换时提供反向电流路径，提升系统安全性。总体而言，PA1138NLT是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中低功率开关应用场景。
　　

参数

型号：PA1138NLT
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOP-8L
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：14A
　　脉冲漏极电流IDM：56A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：6.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：8.5mΩ
　　栅极电荷Qg（typ）：19nC
　　输入电容Ciss（typ）：1020pF
　　输出电容Coss（typ）：380pF
　　反向恢复时间trr（typ）：28ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻RθJA：45℃/W
　　

特性

PA1138NLT具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻RDS(on)在同类产品中表现优异，尤其是在VGS=10V条件下，最大导通电阻仅为6.5mΩ，能够显著降低导通期间的功率损耗，提升系统效率。这一特性使其非常适合用于大电流输出的同步整流电路或负载开关应用。在VGS=4.5V的较低驱动电压下，RDS(on)仍可保持在8.5mΩ以内，说明该器件具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑控制信号，无需额外的电平转换或专用驱动芯片即可直接驱动，简化了外围电路设计并降低成本。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg typ 19nC），意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少，有助于减小驱动IC的负担并进一步提升整体能效。
　　该器件的封装采用SOP-8L形式，具有较大的散热焊盘，可通过PCB布局有效导出热量，提升热管理效率。尽管是表面贴装封装，但其热阻RθJA为45℃/W，在合理布板条件下可支持持续14A的漏极电流，满足多数中等功率应用的需求。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保在高温工业环境或低温户外条件下仍能稳定运行，增强了系统的环境适应性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr typ 28ns），减少了在桥式电路或电机驱动中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统的动态响应能力和可靠性。此外，PA1138NLT符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品制造。其高可靠性经过严格测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等可靠性试验，确保长期使用中的稳定性。

应用

PA1138NLT广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子设备中。在电源管理系统中，常用于同步降压变换器的上下管配置，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为低边开关，利用其低RDS(on)和快速开关特性来降低传导损耗并提升转换效率。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电管理电路或负载开关，实现对不同功能模块的供电控制，同时减少待机功耗。在LED驱动电路中，PA1138NLT可作为恒流调节的开关元件，配合PWM调光实现高精度亮度控制。在电机控制领域，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，该MOSFET能够承受频繁的正反转切换和感性负载带来的反电动势，保障系统安全运行。此外，它也适用于热插拔控制器、过流保护电路以及各类DC-DC模块电源的设计。由于其封装小巧且性能稳定，特别适合空间受限但对效率要求较高的应用场景，如通信基站辅助电源、智能家居控制板、工业传感器供电单元等。在汽车电子中，虽非车规级器件，但在车载后装设备如行车记录仪、车载充电器中也有一定应用。总之，PA1138NLT凭借其优异的电气特性和紧凑封装，成为众多中低功率开关应用的理想选择。