时间：2025/6/29 6:23:53
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CDR31BP910BJZRAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号属于沟道增强型场效应晶体管系列，广泛应用于工业控制、消费电子及通信设备领域。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：开启延迟时间47ns，关断延迟时间21ns
工作温度范围：-55℃至175℃
CDR31BP910BJZRAT具有优异的电气性能和可靠性，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用，从而减小外部元件体积。
3. 较高的雪崩能量承受能力，增强在异常条件下的保护功能。
4. 紧凑的封装形式，节省PCB空间。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片适用于广泛的电力电子应用场景，例如：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC/DC适配器、充电器等。
2. 直流电机驱动与控制电路。
3. LED照明驱动模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的信号放大与功率传输。
6. 各类便携式电子产品中的电池管理单元。
CDR31BP910BZRACT, IRFZ44N, FDP5580
