时间：2025/5/24 17:44:39
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CDR31BP8R2BCZSAT 是一种基于碳化硅 (SiC) 材料的功率二极管，属于肖特基势垒二极管 (SBD) 系列。该器件具有高效率、低正向压降和快速恢复时间的特点，适用于高频开关电路以及需要高效能量转换的应用场景。
其设计特别针对电动汽车、可再生能源系统、工业电源等领域的高性能需求进行了优化。
类型：肖特基二极管
额定电压：1200V
额定电流：8A
正向压降（典型值）：1.5V
反向恢复时间：≤ 50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-2L
CDR31BP8R2BCZSAT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：额定电压高达 1200V，能够承受较高的反向峰值电压，非常适合高压应用环境。
2. 快速开关性能：具备极短的反向恢复时间（≤ 50ns），减少了开关损耗并提高了系统效率。
3. 低正向压降：在大电流条件下表现出较低的正向电压降（典型值为 1.5V），从而降低了导通损耗。
4. 高温适应性：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的宽泛工作温度范围，确保在极端条件下的可靠运行。
5. 碳化硅技术：采用先进的 SiC 材料制造工艺，提供卓越的热性能与电气性能。
CDR31BP8R2BCZSAT 主要应用于以下领域：
1. 电动汽车充电系统中的 DC-DC 转换器和车载充电器。
2. 太阳能逆变器及风能发电设备中的功率转换模块。
3. 工业电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 高频开关电源和电力电子设备中的整流电路。
5. 其他需要高效率、高温稳定性和快速开关响应的电力应用。
CDR31BP8R2BCTSAK, CDR31AP8R2BCZSAT
