时间：2025/9/13 22:40:20
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BUK6210-55C,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高功率开关和功率管理应用中。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散(Pd)：100W
BUK6210-55C,118 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为7.5毫欧姆，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗并减少发热。其漏源电压额定值为55V，漏极电流可达35A，适用于中高功率级别的应用。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，提供了卓越的导通性能和开关性能。
此外，该器件具有高耐热性和稳定性，能够在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，适应各种恶劣的工作环境。它的栅极电压容限为±20V，增强了抗过压能力，同时提高了驱动电路的设计灵活性。TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中。
BUK6210-55C,118 主要应用于电源管理和功率控制领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电机控制、负载开关以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合需要高效能和紧凑设计的系统。此外，其出色的热性能和稳定性使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
IRFZ44N, STP35NF06L, FDP3370, BUK6211-55C
