时间：2025/6/30 14:09:26
阅读：4
CDR31BP6R8BDZMAT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率电子元器件，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和工业驱动等场景。该芯片采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关频率的特点，能够显著提升系统的效率与功率密度。
其内部集成了优化的栅极驱动电路以及保护功能，确保在复杂工况下的稳定运行，同时减少外围元件数量，简化设计流程。
型号：CDR31BP6R8BDZMAT
类型：GaN 功率晶体管
封装形式：LGA
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：6mΩ（典型值）
最大开关频率：5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
输入电容：950pF（典型值）
输出电容：35pF（典型值）
反向恢复时间：无（由于 GaN 技术特性）
CDR31BP6R8BDZMAT 具备以下显著特点：
1. 采用氮化镓材料，具备更高的电子迁移率和更低的导通损耗，相比传统硅基 MOSFET 性能更优。
2. 内置栅极驱动电路，提供更快的开关速度和更强的抗噪能力。
3. 封装设计紧凑，散热性能优越，适合高功率密度应用。
4. 高可靠性设计，支持宽禁带半导体特有的快速瞬态响应。
5. 提供全面的保护功能，如过流保护和短路保护，保障系统安全运行。
6. 支持高达 5MHz 的开关频率，大幅减少磁性元件体积并提高整体效率。
CDR31BP6R8BDZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，特别适用于笔记本电脑适配器和 USB-PD 快充模块。
2. 开关电源设计，包括工业级 AC-DC 转换器和服务器电源。
3. 无线充电设备中的功率传输级，以实现更高效率的电能转换。
4. 工业自动化设备中的电机驱动控制器。
5. 新能源汽车车载充电器 (OBC) 和逆变器中作为核心功率开关器件。
6. 可再生能源领域，例如光伏微型逆变器及储能变流器。
CDR31BP6R8BDMAT, CDR31AP6R8BDZMAT
