时间：2025/5/20 13:50:29
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CDR31BP621AFZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特点，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
此型号属于CDR系列，主要以N沟道增强型场效应晶体管为特点，适用于中高压应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：650V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：18A
导通电阻(R_DS(on))：0.25Ω（典型值，V_GS=10V时）
功耗(P_TOT)：150W
结温范围(T_J)：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
CDR31BP621AFZSAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，在相同电压等级下可以有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，具备较小的输入电容和输出电荷，适合高频工作环境。
3. 强大的雪崩能力，能够在异常条件下提供更高的可靠性。
4. 内置ESD保护电路，增强了器件在恶劣环境中的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且支持表面贴装工艺，便于大规模生产。
该型号的功率MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业控制领域中的电机驱动与逆变器模块。
3. 光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率转换级。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的车载充电器和DC-DC转换器。
5. 各类消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5500
IXTN100N65T2
