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CDR31BP620BFZSAT 发布时间 时间:2025/12/24 8:58:31 查看 阅读:9

CDR31BP620BFZSAT 是一款高性能的二极管阵列芯片,广泛应用于电源管理、信号保护和高频电路设计。该芯片采用先进的制造工艺,确保了其高效率和稳定性。它主要被设计用于防止瞬态电压对敏感电子设备造成损害,并支持多路独立保护功能。
  这款芯片具有快速响应时间、低漏电流以及高浪涌承受能力的特点,非常适合在复杂电磁环境下工作的设备。其封装形式为紧凑型表面贴装器件 (SMD),便于自动化生产和小型化设计。

参数

类型:二极管阵列
  最大反向工作电压:62V
  最大正向电流:3.5A
  峰值脉冲功率:600W
  结电容:≤4pF
  响应时间:≤1ps
  封装:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  存储温度范围:-65℃ 至 +175℃

特性

1. 高速响应:
  由于采用了优化的内部结构设计,CDR31BP620BFZSAT 能够在皮秒级别内完成对瞬态电压的响应,这使得它特别适合用作高速数字电路中的保护元件。
  2. 低泄漏电流:
  该芯片的漏电流非常低,通常小于1nA,在保证系统性能的同时减少了不必要的功耗。
  3. 强大的浪涌吸收能力:
  高达600W的峰值脉冲功率使其能够有效抵御雷击或其他瞬时高压事件的影响。
  4. 紧凑型设计:
  SOT-23 封装不仅节省了PCB空间,还提高了产品的可靠性和散热性能。
  5. 宽温工作:
  无论是极端寒冷还是高温环境,该芯片都能保持稳定的电气特性。

应用

1. 通信设备:
  如手机基站、路由器等需要稳定电源供应及信号传输保护的场合。
  2. 工业自动化:
  PLC控制器、变频器等工业设备中,可用来防止外部干扰导致的数据错误或硬件损坏。
  3. 消费类电子产品:
  例如笔记本电脑适配器、平板电视等消费级产品中,作为输入输出端口的过压保护措施。
  4. 汽车电子:
  车载充电模块、导航系统等领域,提供更高的安全性和可靠性保障。

替代型号

1. PESD6V8YB:同样具备快速响应和低漏电流特性,但封装稍有不同。
  2. SM7G62CA:适用于更高电压等级的应用场景,反向耐压可达62V。
  3. ESDA6V8M3T:专为汽车级应用设计,符合AEC-Q101标准。
  4. CDRH31BP620:与原型号功能相似,但可能来自其他制造商或采用不同的封装技术。

CDR31BP620BFZSAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容62 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-