CDR31BP5R1BCZMAT 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,广泛应用于高频、高效率的电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的封装工艺,具有低正向压降、快速恢复时间以及出色的高温性能,能够满足现代电力电子系统对高效能和稳定性的需求。
该型号中的具体参数可以通过其命名规则解析部分信息:例如,'5R1'通常表示该二极管的额定电流为5A,额定电压为650V左右(具体以官方数据为准)。此外,该系列二极管因其卓越的电气特性,在新能源汽车、太阳能逆变器以及通信电源等领域备受青睐。
额定电压:650V
额定电流:5A
正向压降(VF):≤1.4V (典型值)
反向恢复时间(trr):≤40ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(结到壳):2℃/W
CDR31BP5R1BCZMAT 的主要特性包括:
1. 低正向压降:相比传统硅基二极管,碳化硅肖特基二极管在正向导通时表现出更低的电压降,从而减少了功率损耗。
2. 快速恢复时间:极短的反向恢复时间确保了其在高频开关应用中的优异表现,显著降低了开关损耗。
3. 高温稳定性:得益于碳化硅材料的固有优势,该器件能够在高达175℃的工作温度下保持稳定性能。
4. 高可靠性:通过优化的制造工艺,该二极管具备较强的抗浪涌能力和长寿命特点。
5. 小型化封装:紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
CDR31BP5R1BCZMAT 可用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS):
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
2. 新能源领域:
- 太阳能逆变器
- 风力发电变流器
3. 电机驱动:
- 电动汽车牵引逆变器
- 工业伺服驱动器
4. 充电桩:
- 快速充电桩的整流模块
5. 通信电源:
- 数据中心高效电源模块
- 5G基站供电单元
CDR31BP5R1BCTMAT, CDR31BP5R1BCXMTAT