时间：2025/5/26 14:40:08
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CDR31BP561AFZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型器件。该器件采用先进的制造工艺，能够在高频和高效率应用中提供卓越的性能表现。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，适用于各种电源管理场景。
型号：CDR31BP561AFZPAT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：3.9mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
总功耗(Ptot)：178W
结温范围(Tj)：-55℃至175℃
封装形式：TO-247-3
CDR31BP561AFZPAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻(3.9mΩ)，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境，能够有效降低开关损耗。
3. 高耐压能力，额定漏源极电压为60V，适用于多种高压应用场景。
4. 大电流处理能力，最大连续漏极电流可达14A，满足大功率需求。
5. 出色的热稳定性，可承受较高的结温范围(-55℃至175℃)，确保在极端条件下的可靠性。
6. 采用TO-247-3封装形式，便于散热设计和电路板布局。
7. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
CDR31BP561AFZPAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动器，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 电动车充电站和逆变器中的高效功率变换电路。
5. LED照明驱动器，提供稳定的电流输出以确保亮度种需要高效功率传输和快速响应的电子设备。
CDR31BP560AFZPAT, IRFZ44N, FDP5570N
