产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-3P集电极—发射极最大电压 VCEO: 300 V集电极—射极击穿电压: 300 V集电极—射极饱和电压: 1.9 V栅极/发射极最大电压: 30 V集电极最大连续电流 Ic: 90 A栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA功率耗散: 219 W封装: Tube配置: Single