时间:2023/12/19 17:26:30
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产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3P
集电极—发射极最大电压 VCEO: 300 V
集电极—射极击穿电压: 300 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
集电极最大连续电流 Ic: 90 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 219 W
封装: Tube
配置: Single