时间：2025/6/19 11:23:17
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CDR31BP511AFZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-247 封装形式，具有高效率、高频开关能力以及低导通电阻的特点。其设计适用于工业级和商业级应用中的电源转换系统、电机驱动器以及其他需要高性能功率处理的场合。
这款 SiC MOSFET 提供了出色的热性能和电气特性，使其能够在高温环境下保持稳定运行，同时减少能量损耗并提高整体系统的效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：51mΩ
栅极电荷（典型值）：85nC
总电容（输入电容）：360pF
反向恢复时间：无（内置体二极管无反向恢复电荷）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3
CDR31BP511AFZMAT 的主要特性包括：
1. 基于先进的碳化硅技术，提供卓越的高频开关性能和较低的开关损耗。
2. 高耐压能力，适合高压环境下的应用需求。
3. 极低的导通电阻，在高电流应用中显著降低传导损耗。
4. 内置体二极管具有零反向恢复电荷，进一步提升效率。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 良好的散热性能，支持更高的功率密度设计。
CDR31BP511AFZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 太阳能逆变器中的 DC-AC 转换。
2. 电动汽车充电站及车载充电器。
3. 工业电机驱动和伺服控制。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频 DC-DC 转换器。
6. 开关电源 (SMPS) 和其他功率管理模块。
7. 任何需要高效率和高可靠性的功率电子设备。
CDR31BP511AFZMTR, C2M0080120D, SCT2340K, FGM20N120MD
