时间：2025/5/13 18:22:36
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CDR31BP470BKWSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的沟槽式结构设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为表面贴装类型（SOT-227B），能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
该芯片特别适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等场景，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：47A
导通电阻：0.038Ω
栅极电荷：125nC
输入电容：2100pF
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：SOT-227B
CDR31BP470BKWSAT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 高额定电压（650V），使其适用于广泛的高压应用场景。
3. 快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
4. 内置雪崩保护功能，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 支持高达 175℃ 的结温，确保高温环境下依然保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统的负载开关与电源管理。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 各种需要高效功率切换的应用场景。
CDR31BP470BKWSATL, IRFZ44N, FQP50N06L
