时间：2025/6/27 11:28:37
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FQP4N20是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域，适合高频开关应用。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
其主要特点是高雪崩击穿能力和低导通损耗，能够有效提升系统效率并降低发热。FQP4N20的设计使其在各种工业和消费类电子产品中都能表现出色。
最大漏源电压Vds：200V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：3.9A
最大脉冲漏极电流Ibm：11.7A
导通电阻Rds(on)：1.2Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：58W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
FQP4N20具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达200V，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（1.2Ω），可显著减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，支持高频工作环境。
4. 强大的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装和使用。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应极端环境。
FQP4N20适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各种电机驱动电路。
4. 逆变器和UPS系统中的功率控制。
5. 负载切换和保护电路。
6. 工业自动化设备中的开关应用。
7. 消费类电子产品的电源管理部分。
IRFZ44N
STP36NF06
AO3400
FQP50N06L
