时间：2025/6/6 18:11:37
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CDR31BP3R6BDZSAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于 CREE 公司的 GaN HEMT 系列。该器件专为高频和高效率应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电以及其他高性能电源管理系统。
该芯片采用底部散热封装，能够有效降低热阻，提升整体系统效率。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN)
额定电压：650V
额定电流：3.1A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：28nC
最大工作温度：175°C
封装形式：DFN8（底部散热）
CDR31BP3R6BDZSAT 提供了出色的性能表现，具体包括：
1. 极低的导通电阻（3.6mΩ），可显著减少传导损耗。
2. 快速开关能力，支持高达 2MHz 的开关频率。
3. 高效的热管理设计，底部金属垫片直接接触 PCB，确保良好的散热效果。
4. 内置 ESD 保护功能，提高系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
这些特性使其非常适合需要高效率、高功率密度的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如服务器电源和通信设备电源。
2. 电机驱动，用于消费类电子产品及工业自动化设备。
3. 无线充电解决方案，提供更高效率和更小尺寸。
4. 太阳能逆变器，助力实现清洁能源转换。
5. 汽车电子系统，例如车载充电器和电动助力转向系统。
其优异的性能使得它成为各类高频、高压应用场景的理想选择。
CDR31BP3R6BDZSAJ, CDR31BP3R6BDZSAM
