型号：K7Z163685B-HC25
　　制造商：Samsung
　　器件类型：DDR SDRAM
　　存储容量：256 Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数：54-pin
　　最大时钟频率：133 MHz
　　访问时间：约 6 ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 125°C
　　数据总线宽度：16位
　　刷新周期：64ms / 8192 行 = 每 7.8μs 一行

K7Z163685B-HC25作为一款典型的DDR SDRAM芯片，具备多项关键特性以满足高性能计算系统对内存速度和可靠性的要求。首先，该芯片采用了双倍数据速率（Double Data Rate, DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而使有效数据传输速率翻倍。例如，在133MHz的时钟频率下，其等效数据速率可达266 MT/s（百万次传输每秒），显著提升了系统的整体带宽能力。这一特性特别适用于图形处理、多媒体应用以及需要大量数据交换的任务场景。
　　其次，K7Z163685B-HC25集成了自动刷新和自刷新功能，能够在不占用CPU资源的情况下维持存储单元中的电荷，防止数据丢失。这对于长时间运行且功耗敏感的系统尤为重要，尤其是在便携式设备或低功耗设计中，自刷新模式可大幅降低待机状态下的电流消耗。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括空闲模式和掉电模式，用户可根据实际应用需求灵活切换，优化能效表现。
　　再者，该器件具有良好的时序控制机制，内置模式寄存器用于配置突发长度、突发类型、CAS延迟等关键参数，使系统设计师可以根据主板时序匹配情况进行调整，提高系统的兼容性和稳定性。其CAS延迟通常设置为2或3个时钟周期，结合快速的地址解码逻辑，保证了较低的访问延迟。同时，芯片内部采用多Bank架构（一般为4 Bank），允许在不同Bank之间交替操作，实现“流水线”式的读写访问，从而提高并发处理能力和内存利用率。
　　最后，K7Z163685B-HC25在制造工艺上采用先进的CMOS技术，具备较高的抗干扰能力和热稳定性。TSOP-II封装不仅体积小巧，还提供了优良的散热性能和电气连接可靠性，便于在高密度PCB布局中使用。综上所述，这些特性共同构成了K7Z163685B-HC25在当时市场中的竞争优势，使其成为许多中高端主板和工业控制设备的理想选择之一。

K7Z163685B-HC25广泛应用于各类需要高性能、高可靠性的电子系统中。最常见的用途是作为台式机和笔记本电脑的主内存条（DIMM/SO-DIMM）组成部分，特别是在早期支持DDR内存的PC平台上被大量采用。由于其256Mbit的容量和16位数据宽度，多颗此类芯片常并联使用以构成完整的64位数据总线，满足处理器对内存带宽的需求。此外，在图形卡领域，该芯片也被用于显存配置中，为GPU提供临时帧缓冲和纹理存储空间，尤其适用于中低端独立显卡或集成显卡方案。
　　在工业控制和嵌入式系统方面，K7Z163685B-HC25因其稳定的性能和较宽的工作温度范围，常被用于工控机、网络路由器、交换机、数字视频录像机（DVR）、POS终端等设备中。这些应用场景通常要求内存具备长时间连续运行的能力，并能在较为恶劣的环境条件下保持数据完整性，而该芯片的自动刷新机制和CMOS工艺恰好满足这些需求。
　　另外，一些通信基站模块、测试测量仪器以及医疗成像设备也可能会选用该型号作为系统缓存。尽管随着技术进步，DDR2、DDR3乃至DDR5已成为主流，但K7Z163685B-HC25仍在部分老旧设备维护、备件替换和特定工业升级项目中发挥着作用。因此，了解其电气特性和接口规范对于系统维护工程师和技术支持人员仍然具有现实意义。

K4H28323JE-HC25
　　MTC28F256AGTG-133B