时间：2025/5/20 13:47:23
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CDR31BP331BJUR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减少能量损耗。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过栅极电压控制漏极电流，适合在高频率和高功率条件下运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：33A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=8ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CDR31BP331BJUR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（2.6mΩ），从而减少了传导损耗，并提高了系统整体效率。
2. 快速开关性能，使得该器件非常适合高频应用场合，如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高电流承载能力（33A），能够在大负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +175℃，适用于恶劣环境下的应用。
5. 小尺寸封装设计，便于 PCB 布局优化，节省空间。
CDR31BP331BJUR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各类电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
3. DC-DC 转换器，用于电池供电设备或汽车电子系统中。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 可再生能源领域，例如太阳能逆变器中的功率管理部分。
6. 高效 LED 驱动电路设计。
CDR31BP331BQUR, CDR31BP331BJTR
