时间：2025/6/19 16:59:37
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CDR31BP330BKZSAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于碳化硅（SiC）技术类别。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的开关特性和低导通电阻，适用于高频、高效率的电源转换应用。其主要设计目标是提高系统的功率密度并降低能耗。
型号：CDR31BP330BKZSAT
类型：MOSFET
材料：SiC（碳化硅）
VDS（漏源电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻）：33mΩ
ID（连续漏极电流）：31A
栅极电荷：75nC
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃至+175℃
CDR31BP330BKZSAT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，支持高达1200V的工作电压，能够适应严苛的应用环境。
2. 极低的导通电阻（33mΩ），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度和较低的栅极电荷，减少了开关损耗，适合高频应用。
4. 碳化硅材料具有优异的热性能和化学稳定性，能够在高温条件下可靠运行。
5. 封装设计优化了散热性能，便于集成到紧凑型系统中。
6. 符合RoHS标准，环保且易于通过相关认证。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 工业电源及不间断电源（UPS）系统。
2. 太阳能逆变器和风能转换系统中的功率转换模块。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电器与电机控制器。
4. 高频DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
5. 其他需要高效能量转换和管理的场景。
CDR31AP330BKZSAT, CDR30BP330BKZSAT
