类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SIR67-21/TR8 MOSFET 具备多项优良特性，确保其在多种功率应用中稳定运行。首先，其导通电阻非常低，仅为 12.5mΩ，这意味着在高电流条件下，MOSFET 的导通损耗较低，从而提高了整体效率。其次，该器件支持高达 60A 的漏极电流和 60V 的漏源电压，适用于中高功率的应用场景，如 DC-DC 转换器、电机控制和电源开关等。此外，SIR67-21/TR8 采用了 Vishay 的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度并减少了开关损耗，使其在高频工作条件下仍能保持高效能。
　　该器件的栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适合高密度电路设计。此外，SIR67-21/TR8 的热阻较低，能够在高温环境下保持良好的热稳定性，确保长期运行的可靠性。这些特性使其成为汽车电子、工业控制、电源供应器等领域的理想选择。

SIR67-21/TR8 MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中。常见用途包括同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电源管理系统。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统。在工业自动化和电源管理设备中，SIR67-21/TR8 可作为高效的功率开关元件，提升系统效率并减少热量产生。此外，由于其良好的热稳定性和高电流处理能力，也适用于高可靠性要求的嵌入式系统和模块化电源设计。

SiR676DP-T1-GE3, IRF6721TRPBF, SiR682DP-T1-GE3