CDR31BP270BFZPAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高效功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用 N 沟道增强型技术设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率和高频率的电力电子系统。
这款芯片基于先进的沟槽式 MOSFET 架构,优化了动态性能与静态损耗之间的平衡,非常适合需要高性能功率转换的应用场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:27A
导通电阻:90mΩ(典型值)
栅极电荷:85nC(典型值)
输入电容:1440pF(典型值)
总功耗:250W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
1. 高耐压能力,额定漏源电压为 650V,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻,仅为 90mΩ(典型值),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度,栅极电荷较小(85nC 典型值),能够支持高频操作。
4. 优化的热性能设计,使其能够在极端温度条件下正常工作,结温范围宽达 -55℃ 至 +175℃。
5. 提供多种保护功能,例如过流保护和短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
6. 封装坚固耐用,采用标准 TO-247 封装,便于安装和散热管理。
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具中的无刷直流电机控制
5. DC-DC 转换器
6. 不间断电源(UPS)系统
7. 电动汽车充电模块
CDR31BP270BFZPAJ, CDR31BP270BFZPAD, IRFP260N, FQA27N65C