时间：2025/5/26 11:23:38
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CDR31BP270BFZPAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高效功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用 N 沟道增强型技术设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效率和高频率的电力电子系统。
这款芯片基于先进的沟槽式 MOSFET 架构，优化了动态性能与静态损耗之间的平衡，非常适合需要高性能功率转换的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：27A
导通电阻：90mΩ（典型值）
栅极电荷：85nC（典型值）
输入电容：1440pF（典型值）
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力，额定漏源电压为 650V，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻，仅为 90mΩ（典型值），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，栅极电荷较小（85nC 典型值），能够支持高频操作。
4. 优化的热性能设计，使其能够在极端温度条件下正常工作，结温范围宽达 -55℃ 至 +175℃。
5. 提供多种保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，增强了系统的可靠性。
6. 封装坚固耐用，采用标准 TO-247 封装，便于安装和散热管理。
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具中的无刷直流电机控制
5. DC-DC 转换器
6. 不间断电源（UPS）系统
7. 电动汽车充电模块
CDR31BP270BFZPAJ, CDR31BP270BFZPAD, IRFP260N, FQA27N65C
