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CDR31BP270BFZPAT 发布时间 时间:2025/5/26 11:23:38 查看 阅读:14

CDR31BP270BFZPAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高效功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用 N 沟道增强型技术设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率和高频率的电力电子系统。
  这款芯片基于先进的沟槽式 MOSFET 架构,优化了动态性能与静态损耗之间的平衡,非常适合需要高性能功率转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:90mΩ(典型值)
  栅极电荷:85nC(典型值)
  输入电容:1440pF(典型值)
  总功耗:250W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 高耐压能力,额定漏源电压为 650V,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻,仅为 90mΩ(典型值),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
  3. 快速开关速度,栅极电荷较小(85nC 典型值),能够支持高频操作。
  4. 优化的热性能设计,使其能够在极端温度条件下正常工作,结温范围宽达 -55℃ 至 +175℃。
  5. 提供多种保护功能,例如过流保护和短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
  6. 封装坚固耐用,采用标准 TO-247 封装,便于安装和散热管理。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动工具中的无刷直流电机控制
  5. DC-DC 转换器
  6. 不间断电源(UPS)系统
  7. 电动汽车充电模块

替代型号

CDR31BP270BFZPAJ, CDR31BP270BFZPAD, IRFP260N, FQA27N65C

CDR31BP270BFZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容27 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-