时间：2025/6/19 17:04:56
阅读：2
CDR31BP241BJZMAT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它通常应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。
这款 MOSFET 采用了 TO-263 封装形式，这种封装方式能够提供良好的散热性能以及便于在 PCB 上安装。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：31A
导通电阻：2.4mΩ
总栅极电荷：85nC
输入电容：1250pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263
CDR31BP241BJZMAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.4mΩ），可以显著减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力（31A），适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升整体性能。
4. 优异的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
6. 良好的电气隔离性能，确保在复杂电路中的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机控制与驱动电路，特别是对效率和响应速度有较高要求的场景。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力电子设备。
4. 工业自动化设备中的功率模块。
5. 汽车电子系统，例如电动车牵引逆变器或电池管理系统。
6. 各种需要高效功率处理的消费类电子产品中。
CDR31BP241BZMTRQMA, CDR31BP241BZMT1G
