时间：2025/5/23 14:41:39
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CDR31BP201BKZSAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减少热量损耗。
该产品属于东芝（Toshiba）半导体旗下的功率MOSFET系列，适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：85A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：78nC
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
CDR31BP201BKZSAT具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，并能有效降低能量损耗。
此外，其快速开关能力确保了更高的工作效率，同时内置的ESD保护功能增强了产品的可靠性。
由于采用了TO-247封装形式，该器件还具备良好的散热性能，适合需要长时间稳定运行的场合。
整体而言，这款MOSFET以其卓越的电气特性和机械设计成为众多高功率应用场景的理想选择。
CDR31BP201BKZSAT主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. DC/DC转换器中的主开关或续流二极管替代
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 汽车电子系统中的负载切换
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
这些应用都充分利用了该器件的高效性、可靠性和大电流承载能力。
CDR31BP201AKZSA, CDR31BP201CKZSA
