时间：2025/7/10 6:26:33
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CDR31BP181BJUR是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的性能。
这款MOSFET为N沟道增强型，使用TO-263（D2PAK）封装形式，适合表面贴装技术（SMT），从而简化了生产流程并提高了可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：48nC
总耗散功率：190W
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度设计，减少了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 内置反向恢复二极管，增强了在同步整流和续流电路中的表现。
4. 强大的散热能力，确保在大电流条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装形式紧凑，便于集成到各种功率模块中。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具及家用电器的电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化控制设备
CDR31BP181BJNR, IRFZ44N, FDP18N60C
