时间：2025/6/19 17:02:58
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CDR31BP180BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，基于先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于高电压和大电流场景，具有出色的开关特性和低导通电阻性能。其结构设计优化了热性能和电气性能，适用于工业、汽车及消费类电子领域。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：0.18Ω
功耗Pd：190W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CDR31BP180BJZPAT具备快速开关速度和低开关损耗的特点，能够显著提升系统效率。
其采用坚固耐用的设计，在高温条件下仍能保持稳定运行。
此外，它具有非常低的输入电容和输出电容，从而减少了开关节点上的振荡问题。
芯片封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和装配，同时提高了散热能力。
整体而言，这款MOSFET非常适合需要高效率和可靠性的应用环境。
CDR31BP180BJZPAT广泛用于开关电源（SMPS）、直流电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、LED驱动器以及各类负载切换电路中。
在汽车电子领域，它可用于启动电机控制、电动车窗控制等场景。
在工业设备中，如焊接机、电动工具等，该器件也表现出色。
由于其较高的电压和电流承载能力，还可以用作保护电路中的关键元件。
IRF840
STP18NF06L
FDP18N6S
