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IRFU2905ZPBF 发布时间 时间:2025/6/4 18:06:58 查看 阅读:4

IRFU2905ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于P沟道增强型场效应晶体管,采用TO-263封装形式(D2PAK)。它广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场合,例如直流电机控制、负载切换、逆变器、电源管理等场景。其主要特点包括低导通电阻、高瞬态电流能力以及出色的热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:87A
  导通电阻:1.7mΩ
  栅极阈值电压:-2.7V至-4V
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)

特性

IRFU2905ZPBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(1.7mΩ),能够有效降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用环境。
  3. 快速开关速度,有助于提高效率并减少电磁干扰。
  4. 出色的热稳定性和耐用性,可在极端温度条件下可靠运行。
  5. 具备较强的雪崩能力和短路耐受时间,增强了器件的鲁棒性。
  6. 优化设计以实现更好的散热性能,从而支持更高的功率密度。

应用

该器件适用于多种工业及消费类电子领域,典型应用包括:
  1. 直流电机驱动与控制。
  2. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统。
  5. 汽车电子中的负载控制,如启动马达或制动灯控制。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, FDP5500

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IRFU2905ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫欧 @ 36A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU2905ZPBF