时间：2025/5/13 18:25:33
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CDR31BP160BKZSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，适用于各种高电压、大电流的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适合用于工业级和消费级电子设备中的电源管理和电机驱动等应用。
型号：CDR31BP160BKZSAT
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：160V
RDS(on)（导通电阻）：5.5mΩ
ID（连续漏极电流）：160A
Qg（栅极电荷量）：115nC
VGS（栅源极电压）：±20V
f（工作频率范围）：高达 1MHz
封装形式：TO-247
CDR31BP160BKZSAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 5.5mΩ，显著降低传导损耗。
2. 高电压承受能力，VDS 高达 160V，适用于高压系统。
3. 快速开关速度，栅极电荷 Qg 仅为 115nC，减少开关损耗。
4. 大电流处理能力，连续漏极电流 ID 达到 160A，满足高功率需求。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 优秀的热性能，采用 TO-247 封装设计，确保在高功率下的稳定运行。
7. 可靠性高，适用于恶劣的工作环境。
CDR31BP160BKZSAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动控制，如工业伺服电机、家用电器电机等。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统和电机控制器。
4. 不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 高效 LED 驱动电路和负载切换应用。
IRFP260N
STP160N10F5
FDP160N10A
IXTH160N10T2
