电容值：1000 pF (1 nF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50 V
　　尺寸代码：1206 (3216 公制)
　　温度系数：NP0（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class I）
　　端子类型：表面贴装（SMD）
　　电容器类型：多层陶瓷电容器（MLCC）

CDR156NP-102LC 采用NP0（C0G）介质材料，具有优异的温度稳定性，其电容值随温度变化极小，适用于对精度要求高的电路，如滤波器、谐振电路和定时电路。
　　该电容器具备±5%的容差，确保了电容值的高精度，适合用于高稳定性要求的射频（RF）电路和模拟电路。
　　其额定电压为50V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电路设计。
　　采用1206（3216公制）封装尺寸，既保证了足够的电容容量，又保持了较小的体积，适合高密度PCB布局。
　　作为Class I陶瓷电容器，CDR156NP-102LC 具有良好的频率响应和低损耗特性，适用于高频电路应用，如射频滤波、信号耦合和去耦等。
　　此外，该器件采用无磁性材料设计，适用于对磁场敏感的应用场景，如精密传感器电路。

CDR156NP-102LC 主要用于需要高稳定性和高精度电容值的电路中。其典型应用包括射频滤波器、谐振电路、定时电路、去耦电容、信号耦合电容等。
　　在通信设备中，该电容器常用于射频放大器、混频器、振荡器等模块，以确保电路的稳定性和低噪声性能。
　　在工业控制设备中，CDR156NP-102LC 用于精密测量电路、ADC/DAC参考电路以及高精度传感器接口电路。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、车身控制系统等，提供稳定的电容支持。
　　此外，该电容器也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源去耦、信号滤波和高频信号处理。

C0805C102K5RACTU、CL10A102JB8NNNC、GRM188R71H103KA01、CDRH3D28BC00、C1206C102K5RACTU